Frequency-dependent annealing characteristics of the implant-isplated GaAs layers
Artykuł w czasopiśmie
| Status: | |
| Autorzy: | Kowalski Mariusz, Partyka Janusz, Węgierek Paweł, Żukowski Paweł, Komarov Fadei F., Jurchenko Anatoly V., Freik Dmytro M. |
| Rok wydania: | 2005 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 2-4 |
| Wolumen/Tom: | 78 |
| Strony: | 311 - 317 |
| Web of Science® Times Cited: | 10 |
| Scopus® Cytowania: | 10 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Abstrakty: | angielski |
| The isolation behaviour in n-type GaAs due to proton implantation is studied. Good-quality electrical isolation has been achieved by polyenergetic implantation of H+ ions with energies up to 400 keV. A conductivity dependence on the frequency has been measured for the GaAs layers modified by proton irradiation both before and after annealing in the temperature range of 100–400 °C. Such measurements allowed us to determine the mechanism of charge carrier transport in the implanted layer, as well as activation energies for hopping conductivity. The obtained results are strong evidence that some of the defects responsible for carrier trapping are related to antisite complex defects. |
