Formularz do publikacji pracowników PL dostępny TUTAJ

Szczegóły publikacji

Tytuł:

Admittance and permittivity in doped layered TlGaSe2 single crystals

Autorzy: S.A. Dawood, A.K. Fedotov, Tofig G. Mammadov, Paweł Żukowski, Tomasz Kołtunowicz, A. M. Saad, N.A. Drozdov
Typ: Artykuł
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Źródło: ACTA PHYSICA POLONICA A
Rok wydania: 2014
Nr czasopisma: 6
Wolumen: 125
Strony: 1267 - 1270
Abstrakt: EN
In doped TlGaSe2 crystals the phase transitions at low temperatures (100-170 K) were observed using admittance and dielectric spectroscopy in a temperature range of 80-320 K. The admittance and permittivity measurements in the studied samples indicated that after Fe or Tb doping by impurities with concentrations Nimp < 0.5 at.% nonequilibrium electronic phase transition is observed. Doping with Nimp > 0.5 at.% resulted in full suppression of this phase transition presence.
Publikacja do: modułu sprawozdawczego PBN
Open Access: TAK
Sposób udostępnienia: Witryna wydawcy
Wersja tekstu: Ostateczna wersja opublikowana
Licencja: Inna otwarta licencja
Czas opublikowania w Open Access: W momencie opublikowania
Liczba miesięcy od opublikowania do udostępnienia: 0
Materiał konferencyjny: NIE
Bazy: Web of Science Core Collection