Pavel P. Moskvin
UKRAINA
Artykuły z 2013 (1)
1. Application of the polyassociative solutions model to determine phase equilibrium in multicomponent A(2)B(6) semiconductor systems and ternery magnetic oxide systems / P. P. Moskvin, Grażyna Olchowik, Jan Olchowik // Journal of Crystal Growth.- 2013, vol. 363, s. 195-204 [MNiSW: 25]
Artykuły z 2012 (2)
1. Finite element method simulation of interface evolution during epitaxial growth / Sławomir Gułkowski, Jan Olchowik, Krystian Cieślak, P. P. Moskvin // Materials Science-Poland.- 2012, vol. 30, nr 4, s. 414-418
Artykuły z 2011 (3)
1. Modelling of the Interface Evolution During si Layer Growth on a Partially Masked Substrate / Sławomir Gułkowski, Jan Olchowik, Krystian Cieślak, P. P. Moskvin // Task Quarterly.- 2011, vol. 15, nr 1, s. 91-98
2. New approach to the determination of phase equilibrium in the Zn-Te system / P. P. Moskvin, Grażyna Olchowik, Jan Olchowik, Agata Zdyb, Sławomir Gułkowski, Wojciech Sadowski // Task Quarterly.- 2011, vol. 15, nr 2, s. 209-217
3. Polyassociative Model of A2B6 Semiconductor Melt and p-T-x Phase Equilibria in Zn-Cd-Te System / P. P. Moskvin, Maxim Antonov, Grażyna Olchowik, Jan Olchowik, Agata Zdyb, Sławomir Gułkowski, Wojciech Sadowski // Task Quarterly.- 2011, vol. 15, nr 1, s. 121-130
Artykuły z 2008 (1)
1. Thermodynamic description of CdXHg1−XTe growth process by LPE / P. Moskvin, V. Khodakovsky, J.M. Olchowik, A. Zdyb, S. Gułkowski, W. Sadowski // Journal of Non-Crystalline Solids.- 2008, vol. 354, nr 35-39, s. 4407-4414
Jeżeli ta strona zawiera nieaktualne, błędne lub niekompletne dane prosimy o kontakt pod adresem oab@pollub.pl