Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
10
WOS
Status:
Autorzy: Cieślak Krystian, Olchowik Jan, Gułkowski Sławomir
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Arkusze wydawnicze: 0,5
Język: angielski
Strony: 475 - 478
Web of Science® Times Cited: 0
Bazy: Web of Science |
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: TAK
Nazwa konferencji: Conference on Environmental Engineering IV
Termin konferencji: 3 września 2012 do 5 września 2012
Miasto konferencji: Lublin
Państwo konferencji: POLSKA
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: angielski
Liquid Phase Epitaxy (LPE) may be the only method of thin-film solar cell production that also enables the production of thin semiconductor layers on the growth substrate. This article presents results obtained by modification of the LPE method; thin Silicon (Si) layers were laterally grown on silicon substrates that were partially masked by dielectric SiO2. This approach enabled changes in the specificity of crystallization. Moreover, a dielectric layer, present under the Si film, forms an inner mirror to photons that have not been absorbed in the active layer. The influence of the dimensions of the dielectric mirror on the short circuit current density was examined. For more reliable analysis, thin-film Si solar cells based on the LPE method, but without an inner dielectric mirror, were made and their performance compared with solar cells produced on substrates with the dielectric cover.