Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
15
Lista A
Status:
Autorzy: Frantskevich N. V., Mazanik Aleksander V. , Frantskevich A. V., Kołtunowicz Tomasz, Żukowski Paweł
Rok wydania: 2011
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 1
Wolumen/Tom: 120
Strony: 105 - 107
Web of Science® Times Cited: 24
Scopus® Cytowania: 1
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: polski
The general goal of this work is to investigate the defects formed on the surface of the Cz-Si wafers subjected to helium implantation, vacuum annealing and nitrogen plasma treatment. The performed scanning electron microscopy study has shown that in the general case two types of surface defects can be formed: cone-shaped inclusions with the base diameter of 0.2-2 mu m and the ratio of diameter to height of approximately 1:1, as well as crystallographically oriented line defects with the length equal to 0.2-2 mu m. The concentration of these defects depends on the conditions of implantation and plasma treatment.