Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

Status:
Autorzy: Węgierek Paweł, Billewicz Piotr
Rok wydania: 2011
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 1
Wolumen/Tom: 120
Strony: 122 - 124
Web of Science® Times Cited: 8
Bazy: Web of Science
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: polski
The article presents the results of research on alternating-current electrical conduction in phosphorus-doped silicon, strongly defected by the implantation of Ne(++) neon ions. An analysis of electrical properties recorded at the annealing temperature of T(a) = 373 K and affected by the changes of testing temperature ranging from 253 K to 368 K as well as frequency from 50 Hz to 5 MHz has been discussed. The obtained results have confirmed the occurrence of two conduction mechanisms in strongly defected semiconductors: the band conduction mechanism that is characteristic of low frequency values and the jump conduction one that corresponds to higher frequencies.