Formation of submicron n(+)-layers in silicon implanted with H(+)-Irons
Artykuł w czasopiśmie
| Status: | |
| Autorzy: | Pokotilo Y. M., Petukh A. N., Giro A. V., Węgierek Paweł |
| Rok wydania: | 2011 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 1 |
| Wolumen/Tom: | 120 |
| Strony: | 129 - 132 |
| Impact Factor: | 0,444 |
| Web of Science® Times Cited: | 0 |
| Scopus® Cytowania: | 0 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | polski |
| Formation of submicron n(+-)layers in commercial Pd-Si Schottky diodes with the active base region fabricated on epitaxial phosphorus-doped silicon, implanted with 300 keV hydrogen ions and thermally treated in the temperature range 20-450 degrees C, is s |
