Pressure transducer of the on the basis of reactive properties of transistor structure with negative resistance
Fragment książki (Materiały konferencyjne)
MNiSW
15
WOS
| Status: | |
| Autorzy: | Osadchuk Alexander V., Osadchuk Iaroslav A., Smolarz Andrzej, Kussambayeva Nazym |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Arkusze wydawnicze: | 0,5 |
| Język: | angielski |
| Strony: | 306 - 311 |
| Web of Science® Times Cited: | 18 |
| Scopus® Cytowania: | 40 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | TAK |
| Nazwa konferencji: | 16th Conference on Optical Fibers and their Applications |
| Skrócona nazwa konferencji: | 16th SPIE-IEEE-OFTA 2015 |
| URL serii konferencji: | LINK |
| Termin konferencji: | 22 września 2015 do 25 września 2015 |
| Miasto konferencji: | Nałęczów |
| Państwo konferencji: | POLSKA |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | angielski |
| The opportunity of direct transformation of pressure in frequency is shown on the basis of the hybrid integrated circuit consisting of the two-collector pressure sensitive transistor and the field two-gate transistor with an active inductive element on the basis of the bipolar transistor with a phase-shifting RC chain. Analytical dependencies of transformation function and the equation of sensitivity are received. Theoretical and experimental research have shown, that sensitivity of the transducer makes 1,55-1,10kHz/kPa. |
