Zgadzam się
Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.
The aim of the present work is an application of the fabrication technologies of p-n junctions working as photodetectors into the ultraviolet region. Usually, the ultraviolet (UV) photodetectors are fabricated as a standard p-n diode structure with the anode on the top and the cathode on the bottom on silicon carbide (4H-SiC) substrates. The critical part for detectors is the formation of the p-n junction. It can be done by different technological processes, such as ion implantation, epitaxy, etc. This paper presents three different technological approaches to fabricate UV photodetectors as p-n photodiode
