Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

Status:
Autorzy: Kociubiński Andrzej, Duk Mariusz, Muzyka Krzysztof, Borecki Michał
Dyscypliny:
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Wersja dokumentu: Elektroniczna
Arkusze wydawnicze: 0,5
Język: angielski
Strony: 78 - 80
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: TAK
Nazwa konferencji: SENSORDEVICES 2017 : The Eighth International Conference on Sensor Device Technologies and Applications
Skrócona nazwa konferencji: SENSORDEVICES 2017
URL serii konferencji: LINK
Termin konferencji: 10 września 2017 do 14 września 2017
Miasto konferencji: Rome
Państwo konferencji: WŁOCHY
Publikacja OA: TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia: Inne
Wersja tekstu: Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania: W momencie opublikowania
Data opublikowania w OA: 10 września 2017
Abstrakty: angielski
The aim of the present work is an application of the fabrication technologies of p-n junctions working as photodetectors into the ultraviolet region. Usually, the ultraviolet (UV) photodetectors are fabricated as a standard p-n diode structure with the anode on the top and the cathode on the bottom on silicon carbide (4H-SiC) substrates. The critical part for detectors is the formation of the p-n junction. It can be done by different technological processes, such as ion implantation, epitaxy, etc. This paper presents three different technological approaches to fabricate UV photodetectors as p-n photodiode