Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

MNiSW
15
WOS
Status:
Autorzy: Martychowiec Agnieszka, Pedryc Aleksandra , Kociubiński Andrzej
Dyscypliny:
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Arkusze wydawnicze: 0,5
Język: angielski
Strony: 1543 - 1549
Web of Science® Times Cited: 0
Scopus® Cytowania: 1
Bazy: Web of Science | Scopus | Web of Science Core Collection
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: TAK
Nazwa konferencji: XL-th IEEE-SPIE Joint Symposium on Photonics, Web Engineering, Electronics for Astronomy and High Energy Physics Experiments
Skrócona nazwa konferencji: XL SPIE-IEEE-PSP 2017
URL serii konferencji: LINK
Termin konferencji: 28 maja 2017 do 6 czerwca 2017
Miasto konferencji: Wilga
Państwo konferencji: POLSKA
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: angielski
The rapidly growing demand for electronic devices requires using of alternative semiconductor materials, which could replace conventional silicon. Silicon carbide has been proposed for these harsh environment applications (high temperature, high voltage, high power conditions) because of its wide bandgap, its high temperature operation ability, its excellent thermal and chemical stability, and its high breakdown electric field strength. The Schottky barrier diode (SBD) is known as one of the best refined SiC devices. This paper presents prepared model, simulations and description of technology of 4H-SiC Schottky junction as well as characterization of fabricated structures. The future aim of the application of the structures is an optical detection of an ultraviolet radiation. The model section contains a comparison of two different solutions of SBD’s construction. Simulations – as a crucial process of designing electronic devices – have been performed using the ATLAS device of Silvaco TCAD software. As a final result the paper shows I-V characteristics of fabricated diodes