Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
15
WOS
Status:
Autorzy: Boiko Oleksandr, Protsenko Serhiy I., Bondariev Vitalii, Lebedynskyi Ihor, Svito Ivan A., Fedotov Aleksander K.
Dyscypliny:
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Arkusze wydawnicze: 0,5
Język: angielski
Strony: 1 - 4
Web of Science® Times Cited: 0
Scopus® Cytowania: 0
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: TAK
Nazwa konferencji: 7th IEEE International Conference Nanomaterials: Application and Properties
Skrócona nazwa konferencji: NAP-2017
URL serii konferencji: LINK
Termin konferencji: 10 września 2017 do 15 września 2017
Miasto konferencji: Odessa
Państwo konferencji: UKRAINA
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: angielski
The main aim of the paper is to investigate the AC electrical propeties of the ferromagnetic alloy-ferroelectric ceramics nanocomposite with the structure of (FeCoZr)x(PbZrTiO3)(100-x) with x = 64.4 at.%. The material was prodced by using ion-beam sputtering with mixed argon and oxygen atmosphere. The frequency dependences of electrical parameters were determined for the frequencies of 50 Hz-1 MHz and measuring temperatures of 10 K-375 K. The mechanism of charge exchange in the nanocomposite was defined as hopping. The samples annealing in air in temperature of 523 K was used. The conductivity of the annealed sample demonstrates strong frequency dependence. Such kind of materials can be used in microelectronics and replace the conventional RLC elements.