AC dielectric properties of SiO2 thin layers implanted with In and Sb ions
Fragment książki (Materiały konferencyjne)
MNiSW
15
WOS
| Status: | |
| Autorzy: | Czarnacka Karolina, Kołtunowicz Tomasz, Fedotov Aleksander K. |
| Dyscypliny: | |
| Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Arkusze wydawnicze: | 0,5 |
| Język: | angielski |
| Strony: | 1655 - 1661 |
| Web of Science® Times Cited: | 0 |
| Scopus® Cytowania: | 0 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | TAK |
| Nazwa konferencji: | The Summer XLII-nd IEEE-SPIE Joint Symposium on Photonics, Web Engineering, Electronics for Astronomy and HIgh Energy Physic Experiments |
| Skrócona nazwa konferencji: | XLII SPIE-IEEE-PSP 2018 |
| URL serii konferencji: | LINK |
| Termin konferencji: | 3 czerwca 2018 do 10 czerwca 2018 |
| Miasto konferencji: | Wilga |
| Państwo konferencji: | POLSKA |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | angielski |
| In this paper results of AC measurements of phase angle theta, capacity C-p and loss tangent tg delta dependences on frequency and temperature for InSb-SiO2 nanocomposite, immediately after preparation are presented. The material was obtained by the implantation of In+ and Sb+ ions into a thin layer of SiO2. Based on mathematical and physical calculations, frequency dependence of conductivity sigma and relative permittivity epsilon(r) were determined. Activation energy of electrons was also calculated. This work refers to the hopping mechanism of conductivity. |
