Technology and characterization of HgCdTe photodiode with a strengthened passivation
Fragment książki (Materiały konferencyjne)
MNiSW
15
WOS
Status: | |
Autorzy: | Pedryc Aleksandra , Martychowiec Agnieszka, Kociubiński Andrzej |
Dyscypliny: | |
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
Arkusze wydawnicze: | 0,6 |
Język: | angielski |
Strony: | 251 - 255 |
Web of Science® Times Cited: | 1 |
Scopus® Cytowania: | 1 |
Bazy: | Web of Science | Scopus |
Efekt badań statutowych | NIE |
Materiał konferencyjny: | TAK |
Nazwa konferencji: | The Summer XLII-nd IEEE-SPIE Joint Symposium on Photonics, Web Engineering, Electronics for Astronomy and HIgh Energy Physic Experiments |
Skrócona nazwa konferencji: | XLII SPIE-IEEE-PSP 2018 |
URL serii konferencji: | LINK |
Termin konferencji: | 3 czerwca 2018 do 10 czerwca 2018 |
Miasto konferencji: | Wilga |
Państwo konferencji: | POLSKA |
Publikacja OA: | NIE |
Abstrakty: | angielski |
This paper describes the technology and characterization of HgCdTe photodetectors developed in Vigo System S.A.. Four different variations of devices have been made which include different substrate types and different passivation coatings. CdTe passivation and anodization have been compared. Additionally, both passivations have been strengthened using a negative photoresist SU-8. As fabricated devices have been destined to work as infrared radiation detectors, there has been performed a current measurement for reverse polarization. Based on current-voltage characteristics, current densities have been calculated and compared among fabricated photodiodes to find the best solution of examined passivations. |