Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

Status:
Warianty tytułu:
Magnetoprzewodzenie w nanostrukturalnych cienkich warstwach Ni osadzanych galwanicznie na podłożu Si
Autorzy: Fedotova Julia A., Saad Anis M., Ivanova Yulia, Ivanou Dmitry, Fedotov Aleksander K., Mazanik Aleksander V. , Svito Ivan A., Streltsov Eugene, Tyutyunnikov Serguey, Kołtunowicz Tomasz
Rok wydania: 2012
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 4A
Wolumen/Tom: 88
Strony: 90 - 92
Web of Science® Times Cited: 3
Bazy: Web of Science
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: polski | angielski
W pracy przedstawiono badania rezystywności p i magnetorezystancji MR w cienkich nanoziarnistych warstwach Ni, które wykonano w temperaturach z przedziału 2 - 300 K oraz indukcji pola magnetycznego B większej od 8 T. Warstwy Ni posiadały grubość około 500 nm i zostały wykonane za pomocą galwanizacji na wafle krzemu n-Si. Według dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego, w nowo wytworzonych cienkich warstwach uformowała się regularna struktura powierzchniowo centrowana o średniej wielkości ziaren 10 - 70 nm. Doświadczenia wykazały, że w cienkich warstwach Ni w zależności od MR i temperatury występują dwie główne cechy szczególne: (1) zależność od wzajemnej orientacji wektorów: indukcji pola magnetycznego B, kierunku prądu i płaszczyzny cienkiej warstwy, (2) dwie składowe MR - ujemna anizotropowa i dodatnia typu Lorenza.
The study of electrical resistivity p and magnetoresistance MR in nanogranular Ni films was performed over the temperature range 2 - 300 K and at the magnetic field induction B up to 8 T. The Ni layers having a thickness of about 500 nm were prepared by electrodeposition on n- Si wafers. According to an X-ray diffraction study, a strongly textured face-centered cubic structure was formed in the as-deposited films with an average grain sizes of about 10 - 70 nm. Experiments have demonstrated that the magnetic field and temperature dependences of the MR effect in Ni films shown two main peculiarities: (1) dependencies on the mutual orientations of vectors B, current and the film plane; (2) two contributions to the MR - negative anisotropic magnetoresistance and positive Lorentz-like MR.