Electrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
15
Lista A
| Status: | |
| Warianty tytułu: |
Właściwości elektryczne monokryształów TlGaSe2 and TlInS2
|
| Autorzy: | Fedotov Aleksander K., Tarasik Maria I., Mammadov Tofig G., Svito Ivan A., Żukowski Paweł, Kołtunowicz Tomasz, Seyidov Mirhasan Yu., Suleymanov Rauf A., Grivickas Vitautas , Bicbaevas Vitalius |
| Rok wydania: | 2012 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 7a |
| Wolumen/Tom: | 88 |
| Strony: | 301 - 304 |
| Scopus® Cytowania: | 6 |
| Bazy: | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | polski | angielski |
| W domieszkowanych kryształach TlGaSe2 i TlInS2 dla temperaturowych zależnościach rezystancji z przedziału 100 – 300 K zmierzonej przy użyciu prądu stałego zaobserwowano przejścia fazowe w przedziałach temperatur 240 – 245 K i 105 – 120 K. Pomiary konduktywności przy użyciu prądu przemiennego w temperaturze pokojowej wskazały skokowy mechanizm przenoszenia ładunków w badanych próbkach. | |
| In the doped crystals TlGaSe2 and TlInS2, using method of temperature dependencies of DC resistance in the temperature range of 100 – 300 K, the phase transitions at the temperatures of 240 – 245 K and 105 – 120 K were observed. The AC conductance measurements at room temperature indicated the hopping mechanism of carrier transport in the studied samples. |
