Baza Publikacji Pracowników Politechniki Lubelskiej

Status:
Warianty tytułu:	Właściwości elektryczne monokryształów TlGaSe2 and TlInS2
Autorzy:	Fedotov Aleksander K., Tarasik Maria I., Mammadov Tofig G., Svito Ivan A., Żukowski Paweł, Kołtunowicz Tomasz, Seyidov Mirhasan Yu., Suleymanov Rauf A., Grivickas Vitautas , Bicbaevas Vitalius
Rok wydania:	2012
Wersja dokumentu:	Drukowana \| Elektroniczna
Język:	angielski
Numer czasopisma:	7a
Wolumen/Tom:	88
Strony:	301 - 304
Web of Science® Times Cited:	5
Scopus® Cytowania:	6
Bazy:	Web of Science \| Scopus \| Web of Science Core Collection
Efekt badań statutowych	NIE
Materiał konferencyjny:	NIE
Publikacja OA:	NIE
Abstrakty:	polski \| angielski
	W domieszkowanych kryształach TlGaSe2 i TlInS2 dla temperaturowych zależnościach rezystancji z przedziału 100 – 300 K zmierzonej przy użyciu prądu stałego zaobserwowano przejścia fazowe w przedziałach temperatur 240 – 245 K i 105 – 120 K. Pomiary konduktywności przy użyciu prądu przemiennego w temperaturze pokojowej wskazały skokowy mechanizm przenoszenia ładunków w badanych próbkach.
	In the doped crystals TlGaSe2 and TlInS2, using method of temperature dependencies of DC resistance in the temperature range of 100 – 300 K, the phase transitions at the temperatures of 240 – 245 K and 105 – 120 K were observed. The AC conductance measurements at room temperature indicated the hopping mechanism of carrier transport in the studied samples.

Electrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2