Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
15
Lista A
Status:
Warianty tytułu:
Właściwości elektryczne monokryształów TlGaSe2 and TlInS2
Autorzy: Fedotov Aleksander K., Tarasik Maria I., Mammadov Tofig G., Svito Ivan A., Żukowski Paweł, Kołtunowicz Tomasz, Seyidov Mirhasan Yu., Suleymanov Rauf A., Grivickas Vitautas , Bicbaevas Vitalius
Rok wydania: 2012
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 7a
Wolumen/Tom: 88
Strony: 301 - 304
Web of Science® Times Cited: 5
Scopus® Cytowania: 6
Bazy: Web of Science | Scopus | Web of Science Core Collection
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: polski | angielski
W domieszkowanych kryształach TlGaSe2 i TlInS2 dla temperaturowych zależnościach rezystancji z przedziału 100 – 300 K zmierzonej przy użyciu prądu stałego zaobserwowano przejścia fazowe w przedziałach temperatur 240 – 245 K i 105 – 120 K. Pomiary konduktywności przy użyciu prądu przemiennego w temperaturze pokojowej wskazały skokowy mechanizm przenoszenia ładunków w badanych próbkach.
In the doped crystals TlGaSe2 and TlInS2, using method of temperature dependencies of DC resistance in the temperature range of 100 – 300 K, the phase transitions at the temperatures of 240 – 245 K and 105 – 120 K were observed. The AC conductance measurements at room temperature indicated the hopping mechanism of carrier transport in the studied samples.