Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Status:
Warianty tytułu:
Gigantyczny efekt magnetorezystywności w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni wytworzonych przy użyciu metody nanoszenia elektrochemicznego
Autorzy: Fedotova Julia A., Saad Anis M., Ivanou Dmitry, Ivanova Yulia, Fedotov Aleksander K., Mazanik Aleksander V. , Svito Ivan A., Streltsov Eugene, Kołtunowicz Tomasz, Tyutyunnikov Serguey
Rok wydania: 2012
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 7a
Wolumen/Tom: 88
Strony: 305 - 308
Web of Science® Times Cited: 3
Bazy: Web of Science
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: polski | angielski
Przeprowadzono badania mechanizmu przenoszenia ładunków i magnetoprzewodzenia w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni z ziarnistymi nanocząstkami Ni rozmieszczonymi w porach SiO2 w zakresie temperatur 2 - 300 K oraz przy indukcji magnetycznej do 8 T. W nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni w temperaturze około 25 K zaobserwowano bardzo wyraźny dodatni efekt MR. Omówiono prawdopodobne mechanizmy pojawienia się opisanego efektu.
The study of the carrier transport and magnetotransport in n-Si/SiO2/Ni nanostructures with granular Ni nanorods embedded into the pores in SiO2 was performed over the temperature range 2 – 300 K and at the magnetic field induction up to 8 T. In n-Si/SiO2/Ni nanostructures at temperatures of about 25 K a huge positive MR effect is observed. Possible mechanisms of the effect is discussed.