Baza Publikacji Pracowników Politechniki Lubelskiej

Status:
Warianty tytułu:	Impedancja diod spolaryzowanych zaporowo napromieniowanych jonami kryptonu o energii 250 MeV
Autorzy:	Poklonski Nikolai Alexandrovich, Gorbachuk Nikolay I., Ermakova Anna, Tarasik Maria I., Shpakovski Sergey V., Filipenia Victor A., Skuratov Vladimir A., Wieck Andreas D., Kołtunowicz Tomasz
Rok wydania:	2012
Wersja dokumentu:	Drukowana \| Elektroniczna
Język:	angielski
Numer czasopisma:	7a
Wolumen/Tom:	88
Strony:	312 - 314
Web of Science® Times Cited:	0
Bazy:	Web of Science
Efekt badań statutowych	NIE
Materiał konferencyjny:	NIE
Publikacja OA:	NIE
Abstrakty:	polski \| angielski
	Przebadano diody krzemowe o typu p+n naświetlane jonami kryptonu o energii 250 MeV. Odległość granicą złącza p+n i obliczonym maksimum w rozkładzie wakatów pierwotnych wyniosła około 26,4 μm. Wykazano, że przekształcenia zespolonej płaszczyzny modułu elektrycznego przy zwiększonej polaryzacji zaporowej złącza mogą nastąpić pod wpływem zmiany stosunku impedancji ZL/ZJ warstwy zdefektowanej promieniowaniem ZL do impedancji obszarów z ładunkiem przestrzennym ZJ, jak również ze względu na zmiany w koncentracji elektronów na poziomach energetycznych defektów powstałych poprzez promieniowanie
	The p+n-junction silicon diodes irradiated with krypton ions with the energy of 250 MeV were studied. The distance  between the pn-junction boundary and calculated maximum in the distribution of the primary vacancies was about 26.4 μm. It was shown that transformations of a complex plane plot of the electric modulus at the increased reverse bias take place due to a change in the impedance ratio ZL/ZJ of the irradiation damaged layer ZL to space charge region ZJ as well as due to changes in the electron population of the energy levels of irradiation-induced defects.

Informacja o cookies

Impedance of reverse biased diodes irradiated with krypton ions with energy of 250 MeV

Artykuł w czasopiśmie