Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

Status:
Warianty tytułu:
Impedancja diod spolaryzowanych zaporowo napromieniowanych jonami kryptonu o energii 250 MeV
Autorzy: Poklonski Nikolai Alexandrovich, Gorbachuk Nikolay I., Ermakova Anna, Tarasik Maria I., Shpakovski Sergey V., Filipenia Victor A., Skuratov Vladimir A., Wieck Andreas D., Kołtunowicz Tomasz
Rok wydania: 2012
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 7a
Wolumen/Tom: 88
Strony: 312 - 314
Web of Science® Times Cited: 0
Bazy: Web of Science
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: polski | angielski
Przebadano diody krzemowe o typu p+n naświetlane jonami kryptonu o energii 250 MeV. Odległość granicą złącza p+n i obliczonym maksimum w rozkładzie wakatów pierwotnych wyniosła około 26,4 μm. Wykazano, że przekształcenia zespolonej płaszczyzny modułu elektrycznego przy zwiększonej polaryzacji zaporowej złącza mogą nastąpić pod wpływem zmiany stosunku impedancji ZL/ZJ warstwy zdefektowanej promieniowaniem ZL do impedancji obszarów z ładunkiem przestrzennym ZJ, jak również ze względu na zmiany w koncentracji elektronów na poziomach energetycznych defektów powstałych poprzez promieniowanie
The p+n-junction silicon diodes irradiated with krypton ions with the energy of 250 MeV were studied. The distance  between the pn-junction boundary and calculated maximum in the distribution of the primary vacancies was about 26.4 μm. It was shown that transformations of a complex plane plot of the electric modulus at the increased reverse bias take place due to a change in the impedance ratio ZL/ZJ of the irradiation damaged layer ZL to space charge region ZJ as well as due to changes in the electron population of the energy levels of irradiation-induced defects.