Impedance of reverse biased diodes irradiated with krypton ions with energy of 250 MeV
Artykuł w czasopiśmie
| Status: | |
| Warianty tytułu: |
Impedancja diod spolaryzowanych zaporowo napromieniowanych jonami kryptonu o energii 250 MeV
|
| Autorzy: | Poklonski Nikolai Alexandrovich, Gorbachuk Nikolay I., Ermakova Anna, Tarasik Maria I., Shpakovski Sergey V., Filipenia Victor A., Skuratov Vladimir A., Wieck Andreas D., Kołtunowicz Tomasz |
| Rok wydania: | 2012 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 7a |
| Wolumen/Tom: | 88 |
| Strony: | 312 - 314 |
| Web of Science® Times Cited: | 0 |
| Bazy: | Web of Science |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | polski | angielski |
| Przebadano diody krzemowe o typu p+n naświetlane jonami kryptonu o energii 250 MeV. Odległość granicą złącza p+n i obliczonym maksimum w rozkładzie wakatów pierwotnych wyniosła około 26,4 μm. Wykazano, że przekształcenia zespolonej płaszczyzny modułu elektrycznego przy zwiększonej polaryzacji zaporowej złącza mogą nastąpić pod wpływem zmiany stosunku impedancji ZL/ZJ warstwy zdefektowanej promieniowaniem ZL do impedancji obszarów z ładunkiem przestrzennym ZJ, jak również ze względu na zmiany w koncentracji elektronów na poziomach energetycznych defektów powstałych poprzez promieniowanie | |
| The p+n-junction silicon diodes irradiated with krypton ions with the energy of 250 MeV were studied. The distance between the pn-junction boundary and calculated maximum in the distribution of the primary vacancies was about 26.4 μm. It was shown that transformations of a complex plane plot of the electric modulus at the increased reverse bias take place due to a change in the impedance ratio ZL/ZJ of the irradiation damaged layer ZL to space charge region ZJ as well as due to changes in the electron population of the energy levels of irradiation-induced defects. |
