Zgadzam się
Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.
Back side p+ emitter thin silicon solar cells have been constructed using vapor phase epitaxy.Double porous structure on a c-Si substrate was used as a seed substrate in order to enable activelayer separation after vapor phase epitaxy growth. Structure of the back side emitter solar cell wasobtained in situ during the epitaxy process. In order to enhance solar cell response to light froma range of 700–1200 nm wavelength, the back side dielectric mirror was developed and optimizedby means of a computer simulation and deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition.At the same time, a reference sample was fabricated. Comparison of solar cells performance withor without the back side mirror was performed and clearly shows that the quality of solar light con-version into the electricity by means of solar cells, can be improved by using the structure proposedin this article.
