Structure and Hardness Evolutionof Silicon Carbide Epitaxial Layers Irradiated with He+Ions
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
70
Lista 2021
| Status: | |
| Autorzy: | Pilko Vladimir, Komarov Fadei F., Budzyński Piotr |
| Dyscypliny: | |
| Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
| Rok wydania: | 2019 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 2 |
| Wolumen/Tom: | 136 |
| Strony: | 351 - 355 |
| Impact Factor: | 0,579 |
| Web of Science® Times Cited: | 1 |
| Scopus® Cytowania: | 2 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | TAK |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Otwarte czasopismo |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Data opublikowania w OA: | 1 lutego 2019 |
| Abstrakty: | angielski |
| In our study, the 4H polytype SiC epitaxial layers of∼3μm thickness on SiC substrates were implanted with500 keV He+ions fluences in the range from5×1014ion/cm2to1×1017ion/cm2. The induced defect distributionswere studied by means of the Rutherford Backscattering technique in the channeling regime (RBS/C). Structurechanges were identified via characteristic phonons intensity deviations registered by the Raman Spectroscopytechnique. Evolution of hardness for all irradiated samples was investigated by means of conventional Vickersmeasurements and dynamic nanoindentation with the Oliver–Pharr method of results processing. For all samples,the normal indentation size effect was observed. |
