Baza Publikacji Pracowników Politechniki Lubelskiej

Status:
Autorzy:	Pilko Vladimir, Komarov Fadei F., Budzyński Piotr
Dyscypliny:
	Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Rok wydania:	2019
Wersja dokumentu:	Drukowana \| Elektroniczna
Język:	angielski
Numer czasopisma:	2
Wolumen/Tom:	136
Strony:	351 - 355
Impact Factor:	0,579
Web of Science® Times Cited:	1
Scopus® Cytowania:	2
Bazy:	Web of Science \| Scopus
Efekt badań statutowych	TAK
Materiał konferencyjny:	NIE
Publikacja OA:	TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia:	Otwarte czasopismo
Wersja tekstu:	Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania:	W momencie opublikowania
Data opublikowania w OA:	1 lutego 2019
Abstrakty:	angielski
	In our study, the 4H polytype SiC epitaxial layers of∼3μm thickness on SiC substrates were implanted with500 keV He+ions fluences in the range from5×1014ion/cm2to1×1017ion/cm2. The induced defect distributionswere studied by means of the Rutherford Backscattering technique in the channeling regime (RBS/C). Structurechanges were identified via characteristic phonons intensity deviations registered by the Raman Spectroscopytechnique. Evolution of hardness for all irradiated samples was investigated by means of conventional Vickersmeasurements and dynamic nanoindentation with the Oliver–Pharr method of results processing. For all samples,the normal indentation size effect was observed.

Structure and Hardness Evolutionof Silicon Carbide Epitaxial Layers Irradiated with He+Ions