Research on Jump Mechanism of Electric Charge Transfer Probability in Gallium Arsenide Irradiated with H+ lons
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
15
Lista A
| Status: | |
| Warianty tytułu: |
Badania prawdopodobieństwa skokowej wymiany ładunków w GaAs napromieniowanym jonami H+
|
| Autorzy: | Węgierek Paweł, Billewicz Piotr |
| Rok wydania: | 2012 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 11b |
| Strony: | 364 - 365 |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | polski | angielski |
| W artykule przedstawiono rezultaty badań arsenku galu naświetlonego jonami H+ oraz omówiono występujące w nim zależności prawdopodobieństwa wystąpienia przeskoku elektronu od temperatury wygrzewania próbki. Otrzymane wyniki potwierdzają, że wartość prawdopodobieństwa przeskoków jest ściśle związana z typem defektów radiacyjnych, powstałych w wyniku naświetlania materiału badawczego jonami H+. | |
| In the article the results of research on gallium arsenide irradiated with H+ ions have been presented as well as occurred correlations bettwen probability of elektron`s jump and sample annealing tempera- ture have been discusen.Obtained results have confirmed that value of probality is stricity connected with type of radiation defects formed as a conseqence of irradiating tested sample with H+ions. |
