Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
20
Lista 2021
Status:
Autorzy: Pilipenko Vladimir , Solodukha Vitali, Zharin Anatoly L., Gusev Oleg K., Vorobey Roman I., Pantsialeyeu Kanstantsin, Bondariev Vitalii, Tyavlovsky Andrey K., Tyavlovsky Konstantin L.
Dyscypliny:
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Rok wydania: 2019
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 3
Wolumen/Tom: 23
Strony: 283 - 290
Web of Science® Times Cited: 0
Scopus® Cytowania: 0
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych TAK
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: angielski
For investigation of the influence exerted by rapid thermal treatment of initial silicon wafers on the electrophysical properties of silicon dioxide obtained by means of the pyrogenous oxidation the analysis methods of volt-farad characteristics and the scanning probe electrometry were used. The obtained results demonstrate reduction of both stress of the flat zones and the charge density on the silicon-silicon dioxide boundary on the wafers, which were subjected to rapid thermal treatment. The alterations of the surface potential on the wafer area registered by means of the method of scanning probe electrometry correspond to the diminishing operation of the electrons, leaving the surface and serve as justification of the assertion that the properties of the silicon-silicon dioxide boundary improve after rapid thermal treatment of initial silicon wafers owing to the substantial enhancement of the homogeneity of microstructure of the surface layer of silicon dioxide.