Simulation of Radiation Effects in SiO2/Si Structures
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
15
Lista A
| Status: | |
| Autorzy: | Komarov Fadei F., Zayats G.M., Komarov Aleksandr F., Miskiewicz S.A., Michailov V. V., Komsta Henryk |
| Rok wydania: | 2015 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 5 |
| Wolumen/Tom: | 128 |
| Strony: | 857 - 860 |
| Impact Factor: | 0,525 |
| Web of Science® Times Cited: | 2 |
| Scopus® Cytowania: | 0 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus | PSJD - Polish Scientific Journal Database; Current Contents - Physical | Chemical & Earth Sciences; EBSCO Academic Search Complete; IC Journals Master List; DOAJ - Directory of Open Access Journals; PB |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Abstrakty: | angielski |
| The space-time evolution of electric charge induced in the dielectric layer of simulated metal-insulator-semiconductor structures due to irradiation with X-rays is discussed. The system of equations used as a basis for the simulation model is solved iteratively by the efficient numerical method. The obtained simulation results correlate well with the respective data presented in other scientific publications. |
