Analysis of the Influence of Annealing Temperatureon Mechanisms of Charge Carrier Transfer in GaAsin the Aspect of Possible Applications in Photovoltaics
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
70
Lista 2021
| Status: | |
| Autorzy: | Węgierek Paweł, Pietraszek Justyna |
| Dyscypliny: | |
| Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
| Rok wydania: | 2019 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 2 |
| Wolumen/Tom: | 136 |
| Strony: | 299 - 302 |
| Web of Science® Times Cited: | 3 |
| Scopus® Cytowania: | 3 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Otwarte czasopismo |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Data opublikowania w OA: | 1 lutego 2019 |
| Abstrakty: | angielski |
| The article presents the results of investigations of the mechanisms of electric charge transfer in gallium arsenidesubjected to poly-energic implantation with hydrogen ions, as a potential base material dedicated for photovoltaicapplications. The main objective of the research was to determine the relationship between the temperature ofisochronous postimplantation annealing and the probability of electron jumping between energy levels as a functionof operating temperature and to test the possibility of creating additional intermediate energy levels in the semi-conductor band gap by ion implantation, which in practice could allow increase in the efficiency of solar energyconversion in photovoltaic cells made on the basis of gallium arsenide modified by ion implantation technology.The conducted research allowed to identify two additional energy levels with activation energy values of 0.17 eVand 1.1 eV. |
