Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
100
Lista 2021
Status:
Autorzy: Węgierek Paweł, Pietraszek Justyna
Dyscypliny:
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Rok wydania: 2019
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 4
Wolumen/Tom: 68
Strony: 925 - 931
Web of Science® Times Cited: 4
Scopus® Cytowania: 4
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia: Witryna wydawcy
Wersja tekstu: Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania: W momencie opublikowania
Data opublikowania w OA: 2 grudnia 2019
Abstrakty: angielski
The aim of this article is to present the results of research aimed at confirmationwhether it is possible to form an intermediate band in GaAs implantation with H+ions.The obtained results were discussed with particular emphasis on possible applications inthe photovoltaic industry. As it is commonly known, the idea of intermediate band solarcells reveals considerable potential as the most fundamental principle of the next generationof semiconductors solar cells. In progress of the research, a series of GaAs samples weresubjected to poly-energy implantation of H+ions, followed by high-temperature annealing.Tests were conducted using thermal admittance spectroscopy, under conditions of variableambient temperature, measuring signal frequency in order to localize deep energy levels,introduced by ion implantation. Activation energy∆Ewas determined for additional energylevels resulting from the implantation of H+ions. The method of determining the activationenergy value is shown in Fig. 2 and the values read from it are 0=10