Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
100
Lista 2021
Status:
Autorzy: Kołtunowicz Tomasz, Bondariev Vitalii, Żukowski Paweł, Fedotova Julia A., Fedotov Aleksander K.
Dyscypliny:
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Rok wydania: 2020
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Wolumen/Tom: 819
Strony: 1 - 8
Web of Science® Times Cited: 4
Scopus® Cytowania: 4
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia: Otwarte czasopismo
Wersja tekstu: Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania: W momencie opublikowania
Data opublikowania w OA: 12 grudnia 2019
Abstrakty: angielski
This paper presents the frequency and temperature dependences of the phase shift angle, the active part of the admittance, the capacitance, and the dielectric loss factor tanδ for as-deposited and annealed (FeCoZr)x(CaF2)(100-x) nanocomposite films prepared via ion-beam sputtering of a complicated target in a mixed argon–oxygen gas atmosphere. For films with a metallic phase content of x = 62.7 at.%, after 15 min of annealing at a temperature of 398 K, a strong ‘negative capacitance’ effect occurred, indicating an inductive-like contribution to the admittance. This effect was accompanied by two types of resonances: a voltage resonance and two current resonances. It was determined that description of AC parameters of (FeCoZr)x(CaF2)(100-x) films can be made by using compound equivalent circuit, consisting of RLC series circuit and two conventional circuits differing in values of their RLC elements, which means that the material can be used in microelectronics instead of such circuits. The joint analysis of the σ(f), θ(f), Cp(f), and tanδ(f) curves allowed the resonances to be explained on the basis of the previously developed alternating current (AC)/direct current (DC) hopping model with three different characteristic times of electron hopping.