Influence of high temperature annealing on AC electric properties of SiO2 thin layers implanted with In and Sb ions
Fragment książki (Rozdział monografii pokonferencyjnej)
MNiSW
20
Poziom I
| Status: | |
| Autorzy: | Czarnacka Karolina, Kołtunowicz Tomasz, Fedotov Aleksander K. |
| Dyscypliny: | |
| Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować. | |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Strony: | 1450 - 1455 |
| Web of Science® Times Cited: | 0 |
| Scopus® Cytowania: | 0 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | TAK |
| Nazwa konferencji: | XLIV-th IEEE-SPIE Joint Symposium on Photonics, Web Engineering, Electronics for Astronomy and High Energy Physics Experiments |
| Skrócona nazwa konferencji: | XLIV SPIE-IEEE-PSP 2019 |
| URL serii konferencji: | LINK |
| Termin konferencji: | 25 maja 2019 do 2 czerwca 2019 |
| Miasto konferencji: | Wilga |
| Państwo konferencji: | POLSKA |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | angielski |
| This paper presents results of AC measurements of resistance Rp, phase angle θ, capacity Cp and loss tangent tgδ in dependences on frequency and temperature for InSb-SiO2/Si nanocomposite, immediately after preparation and annealed at 1273 K. The material was obtained by the In+ and Sb+ ions implantation into a SiO2 thin layer. Using obtained parameters frequency dependence of conductivity σ, real and imaginary components of permittivity were determined. This work refers to the hopping mechanism of conductivity and relaxation mechanisms of prepared material. |
