Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
20
Poziom I
Status:
Autorzy: Czarnacka Karolina, Kołtunowicz Tomasz, Fedotov Aleksander K.
Dyscypliny:
Aby zobaczyć szczegóły należy się zalogować.
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Strony: 1450 - 1455
Web of Science® Times Cited: 0
Scopus® Cytowania: 0
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: TAK
Nazwa konferencji: XLIV-th IEEE-SPIE Joint Symposium on Photonics, Web Engineering, Electronics for Astronomy and High Energy Physics Experiments
Skrócona nazwa konferencji: XLIV SPIE-IEEE-PSP 2019
URL serii konferencji: LINK
Termin konferencji: 25 maja 2019 do 2 czerwca 2019
Miasto konferencji: Wilga
Państwo konferencji: POLSKA
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: angielski
This paper presents results of AC measurements of resistance Rp, phase angle θ, capacity Cp and loss tangent tgδ in dependences on frequency and temperature for InSb-SiO2/Si nanocomposite, immediately after preparation and annealed at 1273 K. The material was obtained by the In+ and Sb+ ions implantation into a SiO2 thin layer. Using obtained parameters frequency dependence of conductivity σ, real and imaginary components of permittivity were determined. This work refers to the hopping mechanism of conductivity and relaxation mechanisms of prepared material.