Baza Publikacji Pracowników Politechniki Lubelskiej

Status:
Warianty tytułu:	Badania optyczne, AFM i ESR fotorezystu implantowanego jonami Sb+
Autorzy:	Azarko Igor, Bumai Yuri, Volobuev Vlas, Żukowski Paweł, Lukashevich Mikhail Grigoryevich, Odzhaev Vladimir B.
Rok wydania:	2010
Wersja dokumentu:	Drukowana \| Elektroniczna
Język:	angielski
Numer czasopisma:	7
Wolumen/Tom:	86
Strony:	270 - 271
Impact Factor:	0,242
Bazy:	BazTech
Efekt badań statutowych	NIE
Materiał konferencyjny:	NIE
Publikacja OA:	NIE
Abstrakty:	angielski \| polski
	Structure, electron spin resonance and reflection coefficient in thin films (1.8 �Ęm) of photoresist implanted by 60 keV antimony ions have been investigated in the fluence range 1x1015 . 5x1016 cm-2. Formation carbonized layer at critical fluence 5x1016 cm-2 have been observed. Thickness of implanted layer determined as 0.27- 0.39 �Ęm and refraction coefficient changes in the range 2.4 . 3.4 depending on fluence implantation.
	Badano strukturę, elektronowy rezonans spinowy oraz współczynnik odbicia cienkich powłok fotorezystu implantowanego jonami antymonu o energii 60 keV dawkami w zakresie 1x1015 – 5x1015 cm-2. Przy dawce krytycznej 5x1015 cm-2 zaobserwowano powstawanie warstwy osadu węgłowego. Określono grubość warstwy implantowanej: 0.27- 0.39 .m oraz zmiany współczynnika odbicia – w zakresie 2,4 - 3,4 w zależności od dawki implantacji.

AFM, ESR and optic study of Sb+ ions implanted photoresist