Baza Publikacji Pracowników Politechniki Lubelskiej

Status:
Warianty tytułu:	Temperature testing of radiation defect activation energy in strongly defected silicon
Autorzy:	Węgierek Paweł, Żukowski Paweł, Billewicz Piotr
Rok wydania:	2010
Wersja dokumentu:	Drukowana \| Elektroniczna
Język:	polski
Numer czasopisma:	7
Wolumen/Tom:	86
Strony:	293 - 295
Impact Factor:	0,242
Bazy:	BazTech
Efekt badań statutowych	NIE
Materiał konferencyjny:	NIE
Publikacja OA:	NIE
Abstrakty:	polski \| angielski
	W artykule zaprezentowano rezultaty badań silnie zdefektowanego krzemu i omówiono występujące w nim mechanizmy zmiennoprądowego przewodnictwa. Uzyskane rezultaty potwierdzają występowanie dwóch mechanizmów przewodzenia w silnie zdefektowanych półprzewodnikach, tj. pasmowego, charakterystycznego dla małych częstotliwości i skokowego, odpowiadającego wyższym częstotliwościom.
	The article presents results of testing electrical properties of ion-implanted silicon and discusses mechanisms of alternating-current electrical conduction that occurs in it. The obtained results have confirmed the occurrence of two conduction mechanisms in strongly defected semiconductors i.e. the band one that is characteristic for low frequency values and the jump one that corresponds to higher frequencies.

Badania temperaturowe energii aktywacji defektów radiacyjnych w silnie zdefektowanym krzemie