Badania temperaturowe energii aktywacji defektów radiacyjnych w silnie zdefektowanym krzemie
Artykuł w czasopiśmie
| Status: | |
| Warianty tytułu: |
Temperature testing of radiation defect activation energy in strongly defected silicon
|
| Autorzy: | Węgierek Paweł, Żukowski Paweł, Billewicz Piotr |
| Rok wydania: | 2010 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | polski |
| Numer czasopisma: | 7 |
| Wolumen/Tom: | 86 |
| Strony: | 293 - 295 |
| Impact Factor: | 0,242 |
| Bazy: | BazTech |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | polski | angielski |
| W artykule zaprezentowano rezultaty badań silnie zdefektowanego krzemu i omówiono występujące w nim mechanizmy zmiennoprądowego przewodnictwa. Uzyskane rezultaty potwierdzają występowanie dwóch mechanizmów przewodzenia w silnie zdefektowanych półprzewodnikach, tj. pasmowego, charakterystycznego dla małych częstotliwości i skokowego, odpowiadającego wyższym częstotliwościom. | |
| The article presents results of testing electrical properties of ion-implanted silicon and discusses mechanisms of alternating-current electrical conduction that occurs in it. The obtained results have confirmed the occurrence of two conduction mechanisms in strongly defected semiconductors i.e. the band one that is characteristic for low frequency values and the jump one that corresponds to higher frequencies. |
