Conductivity of Cd1-xFexTe semiconductors at alternating current and temperatures lower than the room temperature
Artykuł w czasopiśmie
Status: | |
Warianty tytułu: |
Konduktywność przy prądzie przemiennym półmagnetycznych półprzewodników Cd1-xFexTe przy temperaturach niższych od temperatury pokojowej
|
Autorzy: | Żukowski Paweł, Kołtunowicz Tomasz, Węgierek Paweł, Sidorenko Julia V. |
Rok wydania: | 2010 |
Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
Język: | angielski |
Numer czasopisma: | 7 |
Wolumen/Tom: | 86 |
Strony: | 75 - 77 |
Impact Factor: | 0,242 |
Bazy: | BazTech |
Efekt badań statutowych | NIE |
Materiał konferencyjny: | NIE |
Publikacja OA: | NIE |
Abstrakty: | angielski | polski |
The paper presents results of conductivity measurements performed at alternating current for semiconducting compounds Cd1-xFexTe within the frequency range of and in the temperature area of below the room temperature. S-shaped frequency dependences have been observed within the concentration range of x < 0.03. Along with the temperature growth the segment of [sigma] increase gets shifted to the area of higher frequencies. A model that describes experimental dependences has been proposed and it takes into account the time of electron "settlement¨ after its hop from the impurity ground state as well as the probability of its return to the potential well wherefrom it has hopped. | |
W pracy przedstawiono rezultaty pomiarów przewodności przy prądzie przemiennym związków półprzewodnikowych Cd1-xFexTe (0.01 . . . 0.05) w zakresie częstotliwości (50 Hz .f . 1 .Hz) i w obszarze temperatur poniżej temperatury pokojowej. Zaobserwowano S – kształtne częstotliwościowe zależności w zakresie koncentracji . . 0.03. Wraz ze wzrostem temperatury odcinek wzrostu . przesuwa się w obszar wyższych częstotliwości. Zaproponowano model, opisujący eksperymentalne zależności, uwzględniający czas „osiadania” elektronu po przeskoku ze stanu podstawowego domieszki i prawdopodobieństwo jego powrotu do studni potencjału, z której on wykonał skok. |