Dielectric properties and model of hopping conductivity of GaAs irradiated by H+ ions
Artykuł w czasopiśmie
| Status: | |
| Autorzy: | Żukowski Paweł, Kołtunowicz Tomasz, Partyka Janusz, Węgierek Paweł, Komarov Fadei F., Mironov Andrey M., Butkievith N., Freik Dmytro M. |
| Rok wydania: | 2007 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 10 |
| Wolumen/Tom: | 81 |
| Strony: | 1137 - 1140 |
| Impact Factor: | 0,881 |
| Web of Science® Times Cited: | 35 |
| Scopus® Cytowania: | 36 |
| Bazy: | Web of Science | Scopus |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | angielski |
| Experimental results on frequency and temperature dependences of conductivity of GaAs layers compensated by polyenergetic H+ implantation are presented. A model of hopping conductivity related to amphoteric defects is proposed. |
