Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

Status:
Autorzy: Saad Anis M., Frantskevich A. V., Fedotov Aleksander K., Mazanik Aleksander V. , Rau Eduard I., Frantskevich N. V., Węgierek Paweł, Kołtunowicz Tomasz, Żukowski Paweł
Rok wydania: 2009
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: suppl. 1
Wolumen/Tom: 83
Strony: S107 - S110
Web of Science® Times Cited: 0
Scopus® Cytowania: 1
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: angielski
Standard 20 Omega cm boron doped Cz Si wafers were subjected to 100 keV hydrogen ion implantation at room temperature to fluences of 1 x 10(16) or 4 x 10(16) at/cm(2). Subsequently, nitrogen was incorporated in silicon from a DC plasma source at a temperature of 300 degrees C. Finally. all samples were annealed at 700 degrees C for 2 h in vacuum. Structural properties of samples were studied by SIMS and SEM. The SEM study was carried out both in the secondary electrons (SE) and the Surface-Electron-Beam-Induced-Voltage (SEBIV) modes. The experiments have demonstrated that incorporated from plasma nitrogen atoms were accumulated in the buried damage layer and the formed nitrogen-containing layer has an island-like structure. (C) 2009 Elsevier Ltd. All rights reserved.