Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

Status:
Autorzy: Zinchuk Olga , Drozdov N. A., Mazanik Aleksander V. , Fedotov Aleksander K., Żukowski Paweł, Partyka Janusz, Węgierek Paweł, Kołtunowicz Tomasz
Rok wydania: 2007
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 10
Wolumen/Tom: 81
Strony: 1332 - 1336
Web of Science® Times Cited: 2
Scopus® Cytowania: 2
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: angielski
Photovoltage (PV) spectra of standard commercial Czochralski n- and p-type silicon wafers with different resistivity subjected to hydrogenation and/or 3.5 MeV electron irradiation have been studied. The PV signal was generated using a band bending present in the wafers. For more information about the influence of hydrogenation and/or electron irradiation on the wafer properties, the measurements of thermo-EMF and surface resistance have been made. The experiments have shown that the hydrogenation of the p-type wafers leads to the appearance of PV signal similar to that for silicon photodiodes as a result of the n-type layer creation near the hydrogenated surface. A drawing field created in the p-type wafers in consequence of their hydrogenation decreases the effect of the carrier diffusion length reduction due to electron irradiation that makes the hydrogenated p-type wafers less sensitive to the radiation impact.