Wytwarzanie i właściwości fizyko-chemiczne cienkich półprzewodnikowych warstw tlenku indu do czujników gazów
Artykuł w czasopiśmie
| Status: | |
| Warianty tytułu: |
Producing of gas sensitive semiconductor structures based on Indium oxide thin films and their physicochemical properties
|
| Autorzy: | Żukowski Paweł, Lugin Valerij, Zarskij Ivan |
| Rok wydania: | 2010 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | polski |
| Numer czasopisma: | 7 |
| Wolumen/Tom: | 86 |
| Strony: | 272 - 275 |
| Impact Factor: | 0,242 |
| Web of Science® Times Cited: | 0 |
| Bazy: | Web of Science |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | TAK |
| Nazwa konferencji: | 35th General Assembly of the Association-of-the-Polish-Electrical-Engineers |
| Termin konferencji: | 25 czerwca 2010 do 26 czerwca 2010 |
| Miasto konferencji: | Katowice |
| Państwo konferencji: | POLSKA |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | polski | angielski |
| Opracowano technologię wytwarzania czujników gazów na podstawie cienkich warstw półprzewodnikowych InO wytwarzanych magnetronowym rozpylaniem indu i jego utlenianiem termicznym. Metodami dyfrakcji elektronów SEM, AES, ESCA zbadano strukturę składu i morfologię powierzchni. Określono warunki wytwarzania warstw o wysokiej czułości i selektywności w stosunku do gazów NO2 oraz NH3. | |
| In this work the technology of produced of gas sensitive semiconductor structures based on Indium oxide thin films by magnetron sputtering of Indium with the subsequent thermal oxidation is developed. Structure, phase structure, morphology of a surface and a chemical composition of received films have been investigated by methods of electron diffraction, SEM, AES, ESCA. Conditions of formation In2O3 films with high sensitivity and selectivity to NO2, and NH3 are established. |
