Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

Status:
Warianty tytułu:
Producing of gas sensitive semiconductor structures based on Indium oxide thin films and their physicochemical properties
Autorzy: Żukowski Paweł, Lugin Valerij, Zarskij Ivan
Rok wydania: 2010
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: polski
Numer czasopisma: 7
Wolumen/Tom: 86
Strony: 272 - 275
Web of Science® Times Cited: 0
Bazy: Web of Science
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: TAK
Nazwa konferencji: 35th General Assembly of the Association-of-the-Polish-Electrical-Engineers
Termin konferencji: 25 czerwca 2010 do 26 czerwca 2010
Miasto konferencji: Katowice
Państwo konferencji: POLSKA
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: polski | angielski
Opracowano technologię wytwarzania czujników gazów na podstawie cienkich warstw półprzewodnikowych InO wytwarzanych magnetronowym rozpylaniem indu i jego utlenianiem termicznym. Metodami dyfrakcji elektronów SEM, AES, ESCA zbadano strukturę składu i morfologię powierzchni. Określono warunki wytwarzania warstw o wysokiej czułości i selektywności w stosunku do gazów NO2 oraz NH3.
In this work the technology of produced of gas sensitive semiconductor structures based on Indium oxide thin films by magnetron sputtering of Indium with the subsequent thermal oxidation is developed. Structure, phase structure, morphology of a surface and a chemical composition of received films have been investigated by methods of electron diffraction, SEM, AES, ESCA. Conditions of formation In2O3 films with high sensitivity and selectivity to NO2, and NH3 are established.