
Stanowisko do badania temperaturowych i częstotliwościowych zależności właściwości elektrofizycznych implantowanych półprzewodników
Artykuł w czasopiśmie
Status: | |
Warianty tytułu: |
Station to testing temperature and frequency dependence of electrophysical properties of semiconductors expose to implantation
|
Autorzy: | Kołtunowicz Tomasz |
Rok wydania: | 2007 |
Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
Język: | polski |
Numer czasopisma: | 10 |
Wolumen/Tom: | 48 |
Strony: | 37 - 40 |
Bazy: | BazTech |
Efekt badań statutowych | NIE |
Materiał konferencyjny: | NIE |
Publikacja OA: | NIE |
Abstrakty: | polski | angielski |