Stanowisko do badania temperaturowych i częstotliwościowych zależności właściwości elektrofizycznych implantowanych półprzewodników
Artykuł w czasopiśmie
| Status: | |
| Warianty tytułu: |
Station to testing temperature and frequency dependence of electrophysical properties of semiconductors expose to implantation
|
| Autorzy: | Kołtunowicz Tomasz |
| Rok wydania: | 2007 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | polski |
| Numer czasopisma: | 10 |
| Wolumen/Tom: | 48 |
| Strony: | 37 - 40 |
| Bazy: | BazTech |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | polski | angielski |
| W pracy przedstawiono komputerowe stanowisko do badania temperaturowych i częstotliwościowych zależności właściwości elektrofizycznych półprzewodników, które zostało zbudowane w Katedrze Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć Politechniki Lubelskiej. | |
| In the paper are presented computer station to testing temperature and frequency dependence of electrophysical properties of semiconductors, which was built in Department of Electrical Devices and High Voltage Technology Lublin University of Technology. |
