Electrical parameters of CMOS-structures formed with a method of high energy ion implantation
Artykuł w czasopiśmie
| Status: | |
| Warianty tytułu: |
Elektro-fizyczne właściwości CMOS-struktur wykonanych metodą wysokoenergetycznej implantacji jonowej
|
| Autorzy: | Partyka Janusz, Odzhaev Vladimir B., Brinkewitch Dmitrij , Prosolowitch Vladislav Savel'evich, Jankowski Jurij |
| Rok wydania: | 2010 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 7 |
| Wolumen/Tom: | 86 |
| Strony: | 184 - 186 |
| Impact Factor: | 0,242 |
| Web of Science® Times Cited: | 0 |
| Bazy: | Web of Science |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | TAK |
| Nazwa konferencji: | 35th General Assembly of the Association-of-the-Polish-Electrical-Engineers |
| Termin konferencji: | 25 czerwca 2010 do 26 czerwca 2010 |
| Miasto konferencji: | Katowice |
| Państwo konferencji: | POLSKA |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | angielski | polski |
| The article presents results of research conducted on CMOS structures formed In a high energy Ion Implantation process, which allowed to prevent appearing of parasitic thyrlstor and latch effect. In the experiment It has been concluded that optimal kind of heat treatment In the context of creating CMOS structures Is fast annealing | |
| Przedstawiono rezultaty badań CMOS-struktur wykonanych za pomocą wlwktroenergetycznej implantacji jonowej co pozoliło na uniknięcie powstawania „pasożytniczego” tyrystora i efektu „zatrzaskiwania”. Eksperymentalnie stwerdzono, że optymalnym rodzajem termicznej obróbki przy tworzeniu CMOS-struktur jest szybkie wygrzewanie. |
