Baza Publikacji Pracowników Politechniki Lubelskiej

Status:
Warianty tytułu:	Elektro-fizyczne właściwości CMOS-struktur wykonanych metodą wysokoenergetycznej implantacji jonowej
Autorzy:	Partyka Janusz, Odzhaev Vladimir B., Brinkewitch Dmitrij , Prosolowitch Vladislav Savel'evich, Jankowski Jurij
Rok wydania:	2010
Wersja dokumentu:	Drukowana \| Elektroniczna
Język:	angielski
Numer czasopisma:	7
Wolumen/Tom:	86
Strony:	184 - 186
Impact Factor:	0,242
Web of Science® Times Cited:	0
Bazy:	Web of Science
Efekt badań statutowych	NIE
Materiał konferencyjny:	TAK
Nazwa konferencji:	35th General Assembly of the Association-of-the-Polish-Electrical-Engineers
Termin konferencji:	25 czerwca 2010 do 26 czerwca 2010
Miasto konferencji:	Katowice
Państwo konferencji:	POLSKA
Publikacja OA:	NIE
Abstrakty:	angielski \| polski
	The article presents results of research conducted on CMOS structures formed In a high energy Ion Implantation process, which allowed to prevent appearing of parasitic thyrlstor and latch effect. In the experiment It has been concluded that optimal kind of heat treatment In the context of creating CMOS structures Is fast annealing
	Przedstawiono rezultaty badań CMOS-struktur wykonanych za pomocą wlwktroenergetycznej implantacji jonowej co pozoliło na uniknięcie powstawania „pasożytniczego” tyrystora i efektu „zatrzaskiwania”. Eksperymentalnie stwerdzono, że optymalnym rodzajem termicznej obróbki przy tworzeniu CMOS-struktur jest szybkie wygrzewanie.

Electrical parameters of CMOS-structures formed with a method of high energy ion implantation