Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

Status:
Warianty tytułu:
Elektro-fizyczne właściwości CMOS-struktur wykonanych metodą wysokoenergetycznej implantacji jonowej
Autorzy: Partyka Janusz, Odzhaev Vladimir B., Brinkewitch Dmitrij , Prosolowitch Vladislav Savel'evich, Jankowski Jurij
Rok wydania: 2010
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: angielski
Numer czasopisma: 7
Wolumen/Tom: 86
Strony: 184 - 186
Web of Science® Times Cited: 0
Bazy: Web of Science
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: TAK
Nazwa konferencji: 35th General Assembly of the Association-of-the-Polish-Electrical-Engineers
Termin konferencji: 25 czerwca 2010 do 26 czerwca 2010
Miasto konferencji: Katowice
Państwo konferencji: POLSKA
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: angielski | polski
The article presents results of research conducted on CMOS structures formed In a high energy Ion Implantation process, which allowed to prevent appearing of parasitic thyrlstor and latch effect. In the experiment It has been concluded that optimal kind of heat treatment In the context of creating CMOS structures Is fast annealing
Przedstawiono rezultaty badań CMOS-struktur wykonanych za pomocą wlwktroenergetycznej implantacji jonowej co pozoliło na uniknięcie powstawania „pasożytniczego” tyrystora i efektu „zatrzaskiwania”. Eksperymentalnie stwerdzono, że optymalnym rodzajem termicznej obróbki przy tworzeniu CMOS-struktur jest szybkie wygrzewanie.