Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

MNiSW
10
WOS
Status:
Autorzy: Kociubiński Andrzej, Duk Mariusz, Bieniek Tomasz, Janczyk Grzegorz, Borecki Michał
Wersja dokumentu: Elektroniczna
Język: angielski
Strony: 209 - 213
Web of Science® Times Cited: 2
Scopus® Cytowania: 2
Bazy: Web of Science | Scopus
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: TAK
Nazwa konferencji: 2014 International 3D Systems Integration Conference (3DIC)
Skrócona nazwa konferencji: 3DIC 2014
Termin konferencji: 1 grudnia 2014 do 3 grudnia 2014
Miasto konferencji: Kinsdale
Państwo konferencji: IRLANDIA
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: angielski
This paper describes the fabrication of 3D-stacked, dual-band sensitive device and their preliminary characterization results. The device consists of two 3D integrated detectors. The square chip with fabricated 4H-SiC p-i-n junction was mounted on commercial silicon chip with large area VIS-photodiode made by Institute of Electron Technology in Warsaw. The UV-photodetector was made on n-type 4H-SiC substrate with a double epitaxial layer in which aluminum was implanted to form a p-n junction close to the surface, and a silicon dioxide layer was formed for passivation, without a guard ring. The optical and electrical characterization of each of the photodiode structures has been discussed including dark current and spectral response measurements of large-area silicon diode with 4H-SiC p-i-n junction. All the diodes showed excellent rectification with low leakage current.