Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej

Publikacje Pracowników PL z lat 1990-2010

Publikacje pracowników Politechniki Lubelskie z lat 1990-2010 dostępne są jak dotychczas w starej bazie publikacji
LINK DO STAREJ BAZY

Status:
Warianty tytułu:
The effect of annealing on conductivity of (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x nanocomposites produced by magnetron sputtering in the atmosphere of argon
Autorzy: Kołtunowicz Tomasz
Rok wydania: 2009
Wersja dokumentu: Drukowana | Elektroniczna
Język: polski
Numer czasopisma: 9
Wolumen/Tom: 50
Strony: 95 - 97
Bazy: BazTech
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: polski | angielski
W pracy opisano wpływ wygrzewania na konduktywność nanokompozytów (CoFeZr)x + (AI₂O₃)1-x wytwarzanych rozpylaniem magnetronowym w atmosferze argonu. Wykorzystano nanomateriały o strukturze metal-dielektryk o zawartości frakcji metalicznej x₁ = 31,2%, x₂ = 42,2% oraz x₃ = 64,1 % (odpowiednio przed na i powyżej progu perkolacji). Ustalono, że wygrzewanie powoduje przesunięcie progu perkolacji (przejścia od przewodności typu półprzewodnikowego do przewodnictwa metalicznego) w obszar wyższych zawartości fazy metalicznej.
The effect of annealing on conductivity of (CoFeZr)x (Al₂O₃)1+x nanocomposites produced by magnetron sputtering In the at mo sphere of argon has been carried out. Nanomaterials of metal-insulator structure with content of metallic phase x₁ = 1.2% (beneath the percolation threshold), x₂ = 42.2% (on the percolation threshold) and x₃ = 64.1 % (above the percolation threshold) were used. Establish that annealing caused shift of percolation threshold (transition from semiconductor type conductivity to metallic conductivity) into area of higher content of metallic phase.