Dependence of GaAs and Si surface energy on the misorientation angle of crystal planes
Artykuł w czasopiśmie
| Status: | |
| Autorzy: | Zdyb Agata, Olchowik Jan, Mucha Marcin |
| Rok wydania: | 2006 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 4 |
| Wolumen/Tom: | 24 |
| Strony: | 1109 - 1114 |
| Bazy: | BazTech |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | TAK |
| Nazwa konferencji: | Conference Intermolecular and Magnetic Interactions in Matter |
| Termin konferencji: | 8 września 2005 do 10 września 2005 |
| Miasto konferencji: | Nałęczów |
| Państwo konferencji: | POLSKA |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Witryna wydawcy |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | Po opublikowaniu |
| Abstrakty: | angielski |
| The paper reports on the dependence of Si and GaAs surface energies on the misorientation angle of Si and GaAs crystal planes in a broad angle range. The energetic balance between GaAs and Si is unfa-vourable for growth of GaAs on Si substrate. Minima of the surface energy correspond to GaAs/Si het-erostructure interface energy minima which indicate preferable crystal orientations for obtaining GaAs layers on Si |
