Detekcja kanałów bocznikujących w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych z wykorzystaniem badań termowizyjnych
Artykuł w czasopiśmie
| Status: | |
| Warianty tytułu: |
Hot spots detection in thin layer solar cells by infrared thermography
|
| Autorzy: | Cieślak Krystian, Gułkowski Sławomir, Olchowik Jan, Kozak Barbara, Wiśniewski Mateusz |
| Rok wydania: | 2012 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana |
| Język: | polski |
| Numer czasopisma: | 2/2, z. 59 |
| Wolumen/Tom: | 283, T. 1 |
| Strony: | 131 - 136 |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | polski | angielski |
| W artykule przedstawiono analizę badań termowizyjnych do detekcji kanałów bocznikujących w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych. Analizowane ogniwa słoneczne zostały wytworzone na bazie cienkich, monokrystalicznych warstw krzemowych. Warstwa krzemu została nanoszona na podłoże przy zastosowaniu metody epitaksji z fazy ciekłej (Liquid Phase Epitaxy – LPE) [1] i stanowiła warstwę aktywną ze złączem p-n w ogniwie słonecznym. Ze względu na specyfikę wzrostu, na brzegach warstw mogą pojawiać się kanały bocznikujące, co powoduje spadek wydajności fotoogniw. Żeby zlokalizować i wyeliminować niekorzystne obszary fotoogniwa, w badaniach zastosowano analizę termowizyjną powierzchni fotoogniw i ablację laserową [2]. | |
| Solar cells ware fabricated on the base of thin silicon monocrystalline layers obtained in liquid phase epitaxy process (LPE). Modification of LPE was introduced – growing substrate was covered with SiO2 and growing windows was opened in dielectric cover. Specificity of growth on that kind of substrate introduces some crystallographic defects on the edge of the sample. After solar cells fabrication these deformations can make “hot spots” which decrease solar cell performance. In order to localize this areas infrared thermography examination was introduced and UV laser was used to eliminate it from a solar cell. |
