Informacja o cookies

Zgadzam się Nasza strona zapisuje niewielkie pliki tekstowe, nazywane ciasteczkami (ang. cookies) na Twoim urządzeniu w celu lepszego dostosowania treści oraz dla celów statystycznych. Możesz wyłączyć możliwość ich zapisu, zmieniając ustawienia Twojej przeglądarki. Korzystanie z naszej strony bez zmiany ustawień oznacza zgodę na przechowywanie cookies w Twoim urządzeniu.

Publikacje Pracowników Politechniki Lubelskiej
MNiSW
4
Lista B
Status:
Warianty tytułu:
Kinetics of the elo layer growth for photovoltaics application
Autorzy: Gułkowski Sławomir, Cieślak Krystian, Olchowik Jan, Paprota Marcin, Syroka Maciej, Głowienka Radosław
Rok wydania: 2012
Wersja dokumentu: Drukowana
Język: polski
Numer czasopisma: 2/2, z. 59
Wolumen/Tom: 283, T. 1
Strony: 297 - 302
Efekt badań statutowych NIE
Materiał konferencyjny: NIE
Publikacja OA: NIE
Abstrakty: polski | angielski
W artykule przedstawiono rezultaty badań dotyczących kinetyki wzrostu warstw epitaksjalnych otrzymywanych techniką ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth – lateralny wzrost warstw epitaksjalnej). Omówiona została metoda przeprowadzenia eksperymentu. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu tj. szybkości chłodzenia, rozmiarów okien Si, na kinetykę wzrostu lateralnego na podłożu krzemowym.
Epitaxial Lateral Overgrowth (ELO) may be promising technique in photovoltaics application due to possibility of producing high quality Si epitaxial layers on silicon substrates. The advantage of this method is that density of the dislocations in new layer is less than in the substrate. The main goal of this method is to obtain as wide and as thin structures as possible. For this reason our research was concentrated on technological parameters of the growth process and its influences on width of the layer.