Temperature measuring device based on thin film thermoresistors
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
5
Lista B
| Status: | |
| Autorzy: | Hotra Oleksandra, Boyko Oksana |
| Rok wydania: | 2012 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 260 |
| Strony: | 207 - 218 |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | TAK |
| Licencja: | |
| Sposób udostępnienia: | Inne |
| Wersja tekstu: | Ostateczna wersja opublikowana |
| Czas opublikowania: | W momencie opublikowania |
| Abstrakty: | polski | angielski |
| W artykule opisano przetworniki mostkowo - rezystancyjne zbudowane na bazie cienkowarstwowych termorezystorów. Otrzymano temperaturowe zależności opisujące niedokładności przetwarzania spowodowane przez dwuwarstwową strukturę termorezystancyjną. W oparciu o dwuwarstwową strukturę przetwornika opracowano mikroprocesorowy przyrząd pomiaru temperatury. | |
| Bridge resistive transducers based on thin film thermoresistors were investigated. The temperature dependencies of resistance errors introduced by the method of two-layer structure are obtained. The microprocessor temperature device is elaborated on the base of shifted two-layer resistive structures. |
