Baza Publikacji Pracowników Politechniki Lubelskiej

Status:
Autorzy:	Kowalski Mariusz, Partyka Janusz, Węgierek Paweł, Żukowski Paweł, Komarov Fadei F., Jurchenko Anatoly V., Freik Dmytro M.
Rok wydania:	2005
Wersja dokumentu:	Drukowana \| Elektroniczna
Język:	angielski
Numer czasopisma:	2-4
Wolumen/Tom:	78
Strony:	311 - 317
Impact Factor:	0,909
Web of Science® Times Cited:	10
Scopus® Cytowania:	10
Bazy:	Web of Science \| Scopus
Efekt badań statutowych	NIE
Materiał konferencyjny:	NIE
Publikacja OA:	TAK
Licencja:
Sposób udostępnienia:	Witryna wydawcy
Wersja tekstu:	Ostateczna wersja opublikowana
Czas opublikowania:	W momencie opublikowania
Abstrakty:	angielski
	The isolation behaviour in n-type GaAs due to proton implantation is studied. Good-quality electrical isolation has been achieved by polyenergetic implantation of H+ ions with energies up to 400 keV. A conductivity dependence on the frequency has been measured for the GaAs layers modified by proton irradiation both before and after annealing in the temperature range of 100–400 °C. Such measurements allowed us to determine the mechanism of charge carrier transport in the implanted layer, as well as activation energies for hopping conductivity. The obtained results are strong evidence that some of the defects responsible for carrier trapping are related to antisite complex defects.

Frequency-dependent annealing characteristics of the implant-isplated GaAs layers