Effects of Al dopant on structural and optical properties of ZnO thin films prepared by sol-ge
Artykuł w czasopiśmie
MNiSW
10
Lista B
| Status: | |
| Warianty tytułu: |
Wpływ domieszki Al na właściwości strukturalne i optyczne cienkich warstw ZnO wytworzonych metodą zol-żel
|
| Autorzy: | Pogrebnjak Alexander D., Muhammed Abid A., Karash Emad T., Jamil Nawfal Y., Partyka Janusz |
| Rok wydania: | 2013 |
| Wersja dokumentu: | Drukowana | Elektroniczna |
| Język: | angielski |
| Numer czasopisma: | 3b |
| Wolumen/Tom: | 89 |
| Strony: | 315 - 317 |
| Bazy: | SCOPUS | INSPEC | BAZTECH |
| Efekt badań statutowych | NIE |
| Materiał konferencyjny: | NIE |
| Publikacja OA: | NIE |
| Abstrakty: | polski | angielski |
| Przejrzyste i przewodzące cienkie warstwy Al domieszkowane ZnO zostały zsyntetyzowane w temperaturze pokojowej techniką zolżel. Na podłożu szklanym naniesiono cienkie warstwy Al niedomieszkowanego oraz domieszkowanego ZnO w stosunku 1, 3, i 5%. Zole zostały przygotowane wykorzystując dwuwodny octan cynku i chlorek aluminium. Jony Al odegrały ważną rolę w ulepszaniu osi c. Charakterystyki stukturalne przebadano metodą dyfrakcji rentgenowskiej i spektroskopii UV-Vis-NIR. Warstwy są przejrzyste od bliskiego ultrafioletu do bliskiej podczerwieni. Obrazy SEM wykazały również, że średni rozmiar ziarna zmniejsza się wraz ze wzrostem poziomu domieszkowania Al. Wartości przerw między pasmami w przygotowanych cienkich warstwach zmieniały się w zakresie (3.18 – 3.42 eV) | |
| Transparent and conductive Al doped ZnO thin films were synthesizedat room temperature by sol gel technique both pure ZnOand Al-doped(1,3,and5%) thin films were deposited on a glass substrate. The sols were prepared using zinc acetate dehydrate and aluminum chlorideprovides Al ions, played an important role in improvement ofthe c – axis, the structural characteristics have been studied by X-ray diffraction, andUV–Vis-NIR spectroscopy. The films are transparent from the nearultraviolet to the near infrared, SEM image also showed thatthe average grainsize is decreased with increasing of Al concentration, band gapvalues of prepared thin films varied in the range of (3.18 – 3.42 eV) |
